Cinética de crecimiento endotaxial de nanohexágonos de CoSi2 en Si (001)

CRISTIÁN HUCK IRIART; LISANDO J. GIOVANETTI; FÉLIX G. REQUEJO; DANIEL SILVA; GUINTHER KELLERMANN; ALDO FÉLIX CRAIEVICH

Rosario

Encuentro; XV Encuentro: Superficies y Materiales Nanoestructurados NANO 2015; 2015

Instituto de Física Rosario

Durante la última década se ha observado un incremento en el desarrollo de nuevos nano-compositos con aplicaciones tecnológicas [1]. Entre ellos aparecen los siliciuros de metales de transisión los cuales poseen gran interes en microelectrónica por sus propiedades electricas y magnéticas [2]. Un método muy simple para obtener arreglos de hexágonos nanométricos de SiCo2 embebidos en un sustrato de Si monocristalino, es realizando un film delgado de SiO2 sobre Si mediante la técnica sol-gel donde en los precursores líquidos se disuelven sales de Co. El film es calcinando en atmósfera reductora a 500ºC y luego llevado a temperaturas mayores a 650ºC en atomosfera de argón para favorecer la difusión del Co al sustrato [3]. Se ha empleado la técnica de dispersion de rayos X a bajos angulos en modalidad rasante ?GISAXS? y microscopia de transmisión electrónica ?TEM? indicando que los hexagonos nanometricos de SiCo2 resultantes son uniformes en tamaño y su crecimiento es paralelo a la familia de planos cristalograficos Si{111} del sustrato. En este trabajo presentaremos el analisis de imagenes obtenidas con la técnica de GISAXS -figura 1- utilizando una rutina escrita en lenguaje python. La intensidad fue modelada empleando funciones analíticas que toman en cuenta las geometría y orienación de los nanohexagonos de SiCo2 y partículas esfericas de Co que pueden formarse en el sustrato de SiO2. Se exhibiran los resultados de la cinética isotérmica de difusión de Co en un monocristal de Si(001) por la técnica de GISAXS para experimentos con temperaturas entre 650-850 ºC. [1] R. C. Chau, B. Doyle, S. Datta, et al Nature Mater. 6 (2007), 810 [2] J. Derrien, M. De Crescenzi, E. Chainet, et al Phys. Rev. B 36 (1987) 6681 [3] G. Kellermann, L. A. Montoro, L. J. Giovanetti, et al Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 063116