Cinética de crecimiento endotaxial de nanohexágonos de CoSi2 en Si(001)

CRISTIÁN HUCK IRIART; LISANDRO GIOVANETTI; GUINTHER KELLERMANN; DANIEL COSTA; ALDO FELIX CRAIEVICH; FELIX G. REQUEJO

Rosario

Congreso; XV Encuentro: Superficies y Materiales Nanoestructurados NANO 2015; 2015

Durante la última década se ha observado un incremento en el desarrollo de nuevos nano-compositos con aplicaciones tecnológicas. Entre ellos aparecen los siliciuros de metales de transición los cuales poseen gran interés en microelectrónica por sus propiedades eléctricas y magnéticas. Un método muy simple para obtener arreglos de hexágonos nanométricos de CoSi2 embebidos en un sustrato de Si monocristalino, es realizando un film delgado de SiO2 sobre Si mediante la técnica sol-gel donde en los precursores líquidos se disuelven sales de Co. El film es calcinando en atmósfera reductora a 500oC y luego llevado a temperaturas mayores a 650oC en atmosfera de argón para favorecer la difusión del Co al sustrato. Se ha empleado la técnica de dispersión de rayos X a bajos ángulos en modalidad rasante ?GISAXS? y microscopia de transmisión electrónica ?TEM? indicando que los hexágonos nanométricos de CoSi2 resultantes son uniformes en tamaño y su crecimiento es paralelo a la familia de planos cristalográficos Si{111} del sustrato. En este trabajo presentaremos el análisis de imágenes obtenidas con la técnica de GISAXS utilizando una rutina escrita en lenguaje python. La intensidad fue modelada empleando funciones analíticas que toman en cuenta las geometría y orienación de los nanohexagonos de CoSi2 y partículas esfericas de Co que pueden formarse en el sustrato de SiO2. Se exhibirán los resultados de la cinética isotérmica de difusión de Co en un monocristal de Si(001) por la técnica de GISAXS para experimentos realizados a 700 oC.