Cinética de crecimiento de nanohexágonos de CoSi2 en interfases SiO2 /Si

CRISTIÁN HUCK IRIART; LISANDRO GIOVANETTI; GUINTHER KELLERMANN; DANIEL COSTA; ALDO FELIX CRAIEVICH; FELIX G. REQUEJO

Buenos Aires

Congreso; XIX Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2015

Durante la última década se ha observado un incremento en el desarrollo de nuevos nano-compositos con aplicaciones tecnológicas. Entre ellos aparecen los siliciuros de metales de transisión los cuales poseen gran interes en microelectrónica por sus propiedades electricas y magnéticas. Un método muy simple para obtener arreglos de hexágonos nanométricos de SiCo 2 embebidos en un sustrato de Si monocristalino,es realizando un film delgado de SiO 2 sobre Si mediante la técnica sol-gel donde en los precursores líquidos se disuelven sales de Co. El film es calcinando en atmósfera reductora a 500oC y luego llevado a temperaturas mayores a 650oC en atomosfera de argón para favorecer la difusión del Co al sustrato. Se ha empleado la técnica de dispersion de rayos X a bajos angulos en modalidad rasante ?GISAXS? y microscopiade transmisión electrónica ?TEM? indicando que los hexagonos nanometricos de SiCo2 resultantes son uniformes en tamaño y su crecimiento es paralelo a la familia de planos cristalograficos Si{111} del sustrato. En este trabajo presentaremos el analisis de imagenes obtenidas con la técnica de GISAXS -figura 1- utilizando una rutina escrita en lenguaje python. La intensidad fue modelada empleando funcionesanalíticas que toman en cuenta las geometría y orienación de los nanohexagonos de SiCo2 y partículas esfericas de Co que pueden formarse en el sustrato de SiO2 . Se exhibiran los resultados de la cinética isotérmica de difusión de Co en un monocristal de Si(001) por la técnica de GISAXS para experimentos con temperaturas entre 650-850 oC.