Estudio mediante Si K XANES de la modificación de los entornos locales del Si en óxidos mixtos mesoporosos soportados Si-Ti modificados con APTES

F.G. REQUEJO; A. CALVO; L. ANDRINI; G.J.A.A. SOLER-ILLIA

La Falda (Córdba)

Encuentro; XII Encuentro "Superficies y Materiales Nanoestructurados 2012"; 2012

FaMAF/FCQ-UNC

Los óxidos mesoporosos tienen múltiples aplicaciones, y por ello la relevancia de la investigación básica en estos materiales. Se presenta un estudio sobre óxidos mixtos de Si-Ti correlacionando las características electrónicas locales de ambos elementos con las propiedades fisicoquímicas que presentan dichos materiales. El presente trabajo constituye una continuación de la metodología ya empleada por el grupo para estudios anteriores[1]. Se muestran ahora los resultados obtenidos para el análisis de óxidos mixtos mesoporosos de Si-Ti soportados sobre Si. En diferentes concentraciones relativas de ambos elementos, a la vez que se mantiene constante (20 por ciento) la cantidad de APTES (3-Aminopropyltriethoxysilane) presente en los poros del material. Mediante la espectroscopía XANES en el borde K del Si se obtuvo que la densidad de estados desocupados Si3p varía fuertemente de acuerdo a la concentración relativa Si/Ti. A menor concentración relativa, la densidad de estados es menor. Además, la aparición de prepicos en el espectro XANES, y su modificación en función de la concentración relativa Si/Ti, evidencia un efecto de distorsión de la simetría local del Si. Por otro lado, no se obtuvieron grandes variaciones entre la densidad de estados desocupados Si3p para el óxido SiO2 con o sin APTES, lo que resulta consistente con la existencia de un efecto de transferencia de carga compartida entre el Si y el Ti.  [1] P.C. Angelomé, L. Andrini, M.C. Fuertes, F.G. Requejo and G.J.A.A. Soler-Illia, Comptes Rendus Chimie, Vol. 13 (1-2), January-February 2010, 256-269.