Formación regular y extendida de dominios nanoestructurados hexagonales y orientados de CoSi2 en monocristales de silicio

REQUEJO, F.G.; DOS SANTOS CLARO, P.C.; GIOVANETTI, L. J.; MONTORO, L.; RAMÍREZ. A. J.; ZHANG, L.; KELLERMANN, G.; CRAIEVICH, A.F.

La Falda, Córdoba

Encuentro; XII Encuentro CNEA "Superficies y materiales nanoestructurados 2012?.; 2012

Debido a sus potenciales aplicaciones en micro y nanodispositivos en electrónica, existe un gran interés en el estudio de la formación, estructura y propiedades de siliciuros metálicos. En particular el CoSi2 ha sido ampliamente estudiado debido a su baja resistencia eléctrica, especialmente apropiada para ser incorporado así a dispositivos pequeños debido a su baja disipación. El hecho que exista un pequeño desajuste entre las constantes de red del CoSi2 y el Si (de un 1,23%) y sus estructuras semejantes permite la formación de superficies por crecimiento epitaxial a lo largo de los planos (001) o (111). El conocimiento de las diferentes estructuras posibles del CoSi2 y la naturaleza de la interfase entre el Si y el CoSi2 resulta esencial para comprender el comportamiento de sus propiedades de transporte. Presentamos en este trabajo una serie de resultados GISAXS y TEM en muestras de nanopartículas de Co embebidas en una matriz de SiO2 soportada sobre Si para analizar la difusión de Co en Si según diferentes caras de cristales de Si. Se estudia el origen de la difusión de Co y de la estructura clara y regularmente definida en la nanoescala de las placas de CoSi2 formadas durante dichos procesos de difusión.