Estudios TEM y GISAXS de la difusión controlada de Co en Si(100) para la formación de dominios nanoestructurados hexagonales orientados de CoSi2.

GIOVANETTI, L. J.; DOS SANTOS CLARO, P.C.; ZHANG, L.; MONTORO, L.; RAMÍREZ. A. J.; KELLERMANN, G.; CRAIEVICH, A.F.; REQUEJO, F.G.

San Martín

Encuentro; XI Encuentro CNEA "Superficies y materiales nanoestructurados 2009?.; 2011

Debido a sus potenciales aplicaciones para el desarrollo de micro- y nanodispositivos en electrónica, existe un gran interés en el estudio de la formación, estructura y propiedades de siliciuros metálicos. En particular, el CoSi2 ha sido ampliamente estudiado por su baja resistencia eléctrica, apropiada para ser incorporado así a dispositivos pequeños. Se presenta el estudio de la formación de nanoplacas de CoSi2 de unas pocas capas atómicas de espesor, insertas en una matriz de Si(100) a través de la difusión térmica a 750 °C de nanopartículas de Co soportadas en una película de SiO2 depositada sobre el sustrato de silicio.La estructura de las placas de CoSi2 así formadas en el cristal de Si(100) fue caracterizada en forma detallada empleando microscopía de transmisión electrónica de alta resolución (HRTEM) y dispersión de rayos X a pequeños ángulos en incidencia rasante (GISAXS). Dichos experimentos permitieron dilucidar la orientación, morfología y naturaleza de los nanodominios de CoSi2 en forma local y extendida, a lo largo de toda la superficie del cristal.Los resultados experimentales demuestran que se forman placas de pocas capas atómicas de espesor de CoSi2 dentro de la matriz de Si con las siguientes características: (i) espesor y forma hexagonal regulares, (ii) una red cristalográfica cúbica coherente con la red de la matriz de Si, y (iii) un crecimiento a lo largo de la familia de planos cristalinos {111} del silicio, que origina cuatro orientaciones cristalográficas en el silicio.