IFLYSIB 05383
INSTITUTO DE FISICA DE LIQUIDOS Y SISTEMAS BIOLOGICOS
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Modelo numérico para la optimización de fotodiodos bajo radiación espacial
Autor/es:
M.A.CAPPELLETTI; A.P.CEDOLA; E.L.PELTZER Y BLANCA
Lugar:
Buenoas Aires
Reunión:
Workshop; DECIDE 2007 - First International Workshop Dependable Circuit Design; 2007
Institución organizadora:
Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
Resumen:
Paper Title (use style: paper title)
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En
el presente trabajo son presentados resultados obtenidos por medio de
un modelo numérico propio, con el propósito de analizar
los daños por desplazamiento inducidos por radiación
sobre fotodiodos PIN de silicio que operan en un ambiente espacial.
El principal resultado mostrado es la determinación de
valores umbrales: Intrinsic RegionThickness
Threshold (IRTT) y Light Intensity Threshold (LIT). Estos
parámetros dan los valores para los cuales, los daños
por radiación de protones son minimizados. Los valores de IRTT
y LIT, muestran la importancia de la relación entre la
longitud de la región intrínseca con respecto a la
longitud total del fotodiodo y a la intensidad lumínica,
respectivamente.
