IFLYSIB   05383
INSTITUTO DE FISICA DE LIQUIDOS Y SISTEMAS BIOLOGICOS
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Simulación de celdas solares de silicio mediante el código computacional SEMI-2D
Autor/es:
MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; GUILLERMO CASAS; ARIEL PABLO CÉDOLA; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ
Lugar:
Malargüe, Mendoza
Reunión:
Otro; 95ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2010
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
Las celdas solares deben su aparición principalmente a la industria aeroespacial, y hoy en día se han convertido en el medio más fiable de suministrar energía eléctrica a un satélite en las órbitas interiores del Sistema Solar. La utilización de estos dispositivos es cada vez más importante en la actualidad, no solamente en usos espaciales sino para el aprovechamiento de fuentes de energía alternativas.En este sentido, las herramientas computacionales brindan una gran ayuda para el tratamiento de estos temas. El código computacional para la simulación de celdas solares de silicio, denominado SEMI-2D, ha sido desarrollado y aplicado al análisis de estructuras n(+)-p-p(+), considerando el espectro AM0. Las rutinas desarrolladas resuelven numéricamente las ecuaciones de Poisson y continuidad sobre un dominio bidimensional para obtener el comportamiento de los dispositivos bajo estudio.En este trabajo, se muestran los resultados obtenidos de las celdas solares investigadas por medio de simulaciones, con diferentes características constructivas (dopados y longitudes). Se ha analizado la influencia de estas características con la corriente de cortocircuito y la tensión de circuito abierto.Además, han sido estudiadas las celdas solares expuestas a los efectos de radiación de protones de 10 MeV. Los defectos causados por estas partículas son considerados con la disminución del tiempo de vida de portadores minoritarios. Como resultado preliminar se ha obtenido que las celdas solares con la región base más estrecha han mostrado ser las menos afectadas por la incidencia de protones. Los resultados obtenidos han sido comparados satisfactoriamente con los del simulador de dispositivos PC1D.