BECAS
OGGIER GermÁn ElÍas
informe técnico
Título:
Desarrollo de circuitos para la excitación para semiconductores de potencia tipo IGBT.
Autor/es:
GUILLERMO O. GARCÍA; GERMAN GUSTAVO OGGIER; LAUREANO PIRIS BOTALLA; GERMAN ELÍAS OGGIER
Fecha inicio/fin:
2017-12-15/2019-06-20
Páginas:
1-20
Naturaleza de la
Producción Tecnológica:
Electrónica
Campo de Aplicación:
Energia-Electrica
Descripción:
En el marco del Convenio I+D entre el GEA-UNRC-CONICET y la empresa CREXEL SRL, que tiene por objetivo desarrollar y transferir un convertidor back-to-back monofásico de 5kVA, se realizó este informe técnico para el entendimiento, reproducción y eventual modificación según necesidades, de un circuito de bajo costo para la excitación de transistores tipo IGBT.
