BECAS
OGGIER GermÁn ElÍas
convenios, asesorías y/o servicios tecnológicos
Título:
Desarrollo de circuitos para la excitación (?Drivers?) para semiconductores de potencia tipo IGBT.
Autor/es:
GUILLERMO O. GARCÍA; GERMAN G.OGGIER; LAUREANO PIRIS BOTALLA; GERMAN ELÍAS OGGIER
Fecha inicio:
2017-12-01
Fecha finalización:
2019-06-01
Campo de Aplicación:
Energia-Electrica
Descripción:
En el marco del Convenio I+D entre el GEA-UNRC-CONICET y la empresa CREXEL SRL, que tiene por objetivo desarrollar y transferir un convertidor back-to-back monofásico de 5kVA, se realizó este servicio para diseñar un circuito de bajo costo para la excitación de transistores tipo IGBT.
