RESPUESTA MEMRISTIVA EN DISPOSITIVOS FERROELÉCTRICOS

C. FERREYRA; M .RENGIFO; M. J. SANCHEZ; A. S. EVERHARDT; B. NOHEDA; D. RUBI

Encuentro; Reunión Anual del Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; 2021

Los memristores ferroeléctricos son dispositivos intensamente estudiados en la actualidad por sus potenciales aplicaciones en almacenamiento y procesamiento de datos. En este trabajo nos focalizamos en dispositivos metal/óxido-ferroeléctrico/metal (MFM) basados en dos ferroeléctricos estándar: BaTiO3 y PZT. Encontramos que la respuesta memristiva se basa en la competencia de dos efectos: la modulación en la altura de las barreras interfaciales M/F debido a la conmutación de la polarización ferroeléctrica y la electromigración de vacancias de oxígeno, en la cual el campo depolarizante juega un rol fundamental. Los resultados experimentales, simulados con un modelo fenomenológico que incluyó ambos efectos, reproducen características no triviales de la respuesta eléctrica, incluyendo las relajaciones de los estados resistivos obtenidas luego de aplicar un estímulo externo. Además de proporcionar información sobre la física subyacente, nuestros resultados sugieren que es posible combinar cambios resistivos volátiles y no volátiles en un mismo dispositivo, un aspecto esencial para el desarrollo de dispositivos neuromórficos.