Memcapacitancia gigante en interfases redox topotácticas

W. R. ACEVEDO; C. VAN DEN BOSCH; M. AGUIRRE; C. ACHA; A. CAVALLARO; C. FERREYRA; M. J. SÁNCHEZ; L. PATRONE; A. AGUADERO; D. RUBI

Congreso; XIX Encuentro "Superficies y Materiales Nanoestructurados 2019?; 2019

La posibilidad de desarrollar dispositivos de cómputo neuromórfico capaces de imitar la extraordinaria capacidad de procesamiento de datos de los sistemas biológicos motiva la investigación en sistemas memristivos. Los memristores con funcionalidades adicionales, como la memcapacitancia, pueden superar a los dispositivos memristivos estándar en aspectos clave como el consumo de energía o las posibilidades de miniaturización. En este trabajo, demostramos una respuesta memcapacitiva gigante en la interfaz memristiva entre la perovskita redox topotáctica La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-δ (LSMCO, 0 ≤ δ ≤ 0. 0.62) y Nb:SrTiO3. El comportamiento memristivo y memcapacitivo se asocia al cambio en el balance de donores y aceptores del diodo n-p formado en dicha interfaz. Encontramos un efecto memcapacitivo CHIGH / CLOW ~ 104 para la interfaz y > 300 para el dispositivo completo, superior en al menos un factor 30 respecto a los sistemas conocidos hasta la fecha. Nuestro trabajo sugiere el potencial de materiales redox topotácticos para nuevos dispositivos nanoelectrónicos, con aplicaciones directas en computación neuromórfica.