Asimetrizando con estímulo eléctrico la respuesta memristiva de sistemas simétricos

C. FERREYRA; M.J. SÁNCHEZ; S. BENGIÓ; C. ACHA; J. LECOURT; U. LUDERS; D. RUBI

Conferencia; XIX Encuentro "Superficies y Materiales Nanoestructurados 2019?; 2019

Las memorias RRAM (Resistive Random Accses Memories) se perfilan como firmes candidatas a formar parte de la próxima generación de memorias no volátiles [1]. Su funcionamiento se basa en el llamado efecto de conmutación resistiva en sistemas metal/oxido/metal (MOM) ante la aplicación de estímulos eléctricos. Entre los óxidos con potencial aplicación existen dos grandes familias, los óxidos binarios (TaOx,TiOx, HfOx) y los óxidos complejos como las manganitas. Los mecanismos físicos asociados a la conmutación resistiva pueden deberse a mecanismos filamentarios o de interfaz. En este último caso, es aceptado que para maximizar la ventana entre los estados de alta y baja resistencia ?una de las figuras fundamentales que caracterizan el comportamiento como memoria- se debe trabajar con dispositivos asimétricos, donde una de las interfases es óhmica e inactiva y la restante es la que concentra el cambio resistivo. Dicha asimetrización se logra utilizando distintos metales para los electrodos metálicos. En este trabajo mostramos que eligiendo adecuadamente el protocolo de estímulo eléctrico en sistemas simétricos de Pt/TaOx/Pt y Ag/La1/3Ca2/3MnO3/Ag es posible asimetrizar la respuesta memristiva, siendo posible activar o desactivar selectivamente la respuesta memristiva de cada interfaz. A través del modelo VEOV adaptado para sistemas basados en manganitas y óxidos binarios respectivamente [2], [3] fue posible reproducir y comprender los datos experimentales.[1] D. Ielmini and R. Waser, Resistive Switching. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH Co. KGaA, (2016).[2] M. J. Rozenberg et al., Phys. Rev. B 81, 115101 (2010) .[3] N. Ghenzi et al., J. Phys. D: Appl . Phys. 46, 415101 (2013).