Conmutación resistiva asociada a la oxidación y reducción de films delgados de la manganita La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-δ

W. ROMÁN; C. VAN DEN BOSCH; C. ACHA; A. AGUADERO; D. RUBI

Conferencia; XVII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados ? NANO 2017; 2017

CNEA

Laconmutación resistiva (ResistiveSwitching, o RS) se define como el cambio reversible, no volátil, de laresistencia eléctrica de sistemas metal-óxido-metal ante la aplicación de estímuloseléctricos. Este dispositivos, llamados también memristores, son la base parael desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles (RRAM). Entrelos óxidos con propiedades memristivas se encuentra los óxidos de manganesoconocidos como manganitas. El mecanismo de RS en estos sistemas se sueleasociar al movimiento de vacancias de oxígeno desde y hacia la interfaz con elmetal, lo que produce cambios en la altura de la barrera Schottky y por lotanto modula la resistencia del dispositivo [1]. Este efecto, si bien se asociaa la migración de defectos, no involucra transiciones entre fases distintas delóxido. Eneste trabajo presentamos un escenario distinto para el caso de la manganita La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-δ(LSMCO). Este óxido tiene laparticularidad de presentar dos fases estables, con distinto contenido deoxígeno [2]. Mediante un control cuidadoso del estímulo eléctrico aplicado afilms delgados epitaxiales de Pt/LSMCO/Nb:SrTiO3, demostramos que esposible obtener RS asociado a la oxidación y reducción del LSMCO. Esta clase demecanismo, si bien se ha reportado en óxidos simples como el TiOx,es inusual en óxidos complejos. Mediante espectroscopía de impedanciasmodelamos los circuitos equivalentes para los estados de alta y bajaresistencia. Se presentan también medidas de retentividad, durabilidad ymediante el análisis de las curvas de corriente-voltaje se determinan los mecanismosde conducción eléctrica.   Referencias: [1]A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008).[2] A. Aguadero et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 6557 ?6561