Mecanismos de conmutación resistiva en films delgados de manganita

D. RUBI; W. ROMÁN; F. MARLASCA; N. GHENZI; C. QUINTEROS; P. GRANELL; F. GOLMAR; C. ALBORNOZ; G. LEYVA; U. LUDERS; J. LECOURT; P. LEVY

Conferencia; XV Encuentro "Superficies y Materiales Nanoestructurados 2015; 2015

El efecto de conmutaciónresistiva (o resistive switching) sedefine como el cambio reversible y no volátil de la resistencia eléctrica de unmaterial ante la aplicación de estímulos eléctricos (normalmente pulsos detensión o corriente) [1]. Este efecto se ha manifestado en una gran variedad deóxidos de metales de transición, tanto simples como complejos, y constituye labase para el desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles(comúnmente llamadas memorias ReRAM, por Resistive Random Access Memories) enlas que la información se codifica en los distintos valores de resistencia. Lageometría usual de un dispositivo ReRAM consiste en un sistema M/óxido/M?,donde M y M? son electrodos metálicos. Existe consenso en que la implementaciónde dispositivos ReRAM será a partir de materiales en forma de película delgada.En este trabajo crecimos por depósito por láser pulsado y caracterizamoseléctricamente films delgados de la manganita (LaCa)MnO3 sobresubstratos conductores. Se encontró la coexistencia de distintos mecanismos deconmutación resistiva [2,3,4], los que pueden ser activados selectivamentemediante un control cuidadoso de la microestructura de la manganita y delestímulo eléctrico aplicado. Finalmente se avanzó mediante litografíaelectrónica en la miniaturización de los dispositivos hasta la escala delmicrón, obteniéndose una mejora notable en el comportamiento eléctrico encomparación con dispositivos de mayor escala.