Dispositivos memristivos de manganita sobre silicio: optimización, modelado de la respuesta eléctrica y capacidad autoreparante

W. ROMÁN; D. RUBI; P. GRANELL; F. GOLMAR; P. LEVY

Conferencia; XVI Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2016

El efectode conmutación resistiva se define como el cambio reversible y no volátil de laresistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímulos eléctricos.Este efecto constituye la base para el desarrollo de una nueva generación dememorias no volátiles. En este trabajo crecimos por ablación láser ycaracterizamos dispositivos de memoria resistiva basados en films delgados dela manganita La1/3Ca2/3MnO3 sobre Si. Encontramosque el uso de corriente eléctrica como estímulo permite estabilizar un estadode resistencia intermedia adicional a los estados normales de alta y bajaresistencia. En base al análisis de las curvas I-V más experimentos deespectroscopia de impedancias, proponemos un escenario donde estos tres estadosse asocian a la coexistencia de un filamento metálico más la oxidación/reducciónde la capa de SiOx nativo presente en la interfaz Si/manganita.También encontramos que es posible regenerar los dispositivos luego de suruptura permanente mediante un tratamiento térmico a bajas temperaturas. Sediscute la posibilidad de aprovechar este efecto para el diseño de dispositivoscon capacidad de autoreparación.