Integración de dispositivos meristivos basados en films delgados

F. GOLMAR; M. BARELLA; P. GRANELL; W. ROMÁN; D. RUBI; F. MARLASCA; C. ACHA; R. FERREIRA; E. PAZ; U. LUDERS; J. LECOURT; R. LLOPIS; R. GAY; L. HUESO; P. LEVY

Conferencia; XVI Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2016

El efecto de conmutación resistiva (resistive switching) se basa en cambio reversible y no volátil de la resistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímulos eléctricos, y constituye la base para el desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles (ReRAM). En trabajos previos crecimos diferentes memorias basadas en TiO2-x, y La1/3Ca2/3MnO3 por distintas técnicas de crecimiento (Sputtering reactivo, Ablación Laser), demostrado la potencialidad de este tipo de dispositivos como memorias no volátiles. En esta charla contaré las diferentes etapas abordadas al realizar la miniaturización de dispositivos de TiO2-x y La1/3Ca2/3MnO3 utilizando diferentes estrategias (técnicas de litografía UV, láser, y electrónica, ion milling). Al realizar los ensayos eléctricos sobre los dispositivos miniaturizados obtuvimos una mejora notable en su perfomance, al compararlos con los dispositivos originales. La charla se centrará en la descripción de los procesos de miniaturización, y en el análisis de la respuesta eléctrica obtenida a temperatura ambiente. También discutiré las etapas ulteriores (soldaduras, empaquetamiento, etc.) que hemos realizado sobre algunos dispositivos, para realizar su montaje en una plaqueta electrónica y posterior envío en un micro-satélite a una órbita a 500km de altura