Dispositivos memristivos basados en films delgados de manganita

D. RUBI; W. ROMÁN; F. MARLASCA; N. GHENZI; C. QUINTEROS; P. GRANELL; F. GOLMAR; C. ALBORNOZ; G. LEYVA; U. LUDERS; J. LECOURT; E. MIRANDA; P. LEVY

Conferencia; 100ª Annual Meeting of the Argentinian Physics Society; 2015

El efecto de conmutación resistiva (o resistive switching) se define como el cambio reversible y no volátil de la resistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímulos eléctricos (normalmente pulsos de tensión o corriente) [1]. Este efecto se ha manifestado en una gran variedad de óxidos de metales de transición, tanto simples como complejos, y constituye la base para el desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles (comúnmente llamadas memorias ReRAM, por Resistive Random Access Memories) en las que la información se codifica en los distintos valores de resistencia. La geometría usual de un dispositivo ReRAM consiste en un sistema M/óxido/M?, donde M y M? son electrodos metálicos. En este trabajo crecimos y caracterizamos dispositivos de memoria resistiva (?memristores?) basados en films delgados de la manganita (LaCa)MnO3. El crecimiento de la manganita se realizó sobre substratos conductores (n-Si y Pt/Si) por medio de ablación láser. Se encontró la coexistencia de distintos mecanismos de conmutación resistiva [2,3,4], los que pueden ser activados selectivamente mediante un control cuidadoso de la microestructura de la manganita y del estímulo eléctrico aplicado. Finalmente se avanzó mediante litografía electrónica en la miniaturización de los dispositivos hasta la escala del micrón, obteniéndose una mejora notable en el comportamiento eléctrico en comparación con dispositivos de mayor escala. Se modeló la respuesta eléctrica observada utilizando una descripción fenomenológica que reproducen exitosamente el comportamiento experimental.