Dispositivos de memoria no volátil a partir de films delgados de óxidos

D. RUBI; W. ROMÁN; F. MARLASCA; N. GHENZI; C. QUINTEROS; P. GRANELL; F. GOLMAR; C. ALBORNOZ; G. LEYVA; U. LUDERS; J. LECOURT; E. MIRANDA; P, LEVY

Conferencia; VI Reunión Nacional Sólidos 2015; 2015

El efecto de conmutación resistiva (o resistive switching) se define como el cambio reversible y no volátil de la resistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímulos eléctricos [1]. Este efecto se ha manifestado en una gran variedad de óxidos de metales de transición, tanto simples como complejos, y constituye la base para el desarrollo de una nueva generación de memorias no volátiles (comúnmente llamadas memorias ReRAM, por Resistive Random Access Memories) en las que la información se codifica en los distintos valores de resistencia. La geometría usual de un dispositivo ReRAM consiste en un sistema M/óxido/M?, donde M y M? son electrodos metálicos. En este trabajo crecimos y caracterizamos dispositivos de memoria resistiva (?memristores?) basados en films delgados de distintos óxidos, como la manganita (LaCa)MnO3 o el óxido simple TiO2. Se encontró, en general, la coexistencia de distintos mecanismos de conmutación resistiva [2,3,4,5], los que pueden ser activados selectivamente mediante un control cuidadoso del estímulo eléctrico aplicado. Se avanzó mediante técnicas de microfabricación en la miniaturización de los dispositivos hasta la escala del micrón, obteniéndose una mejora notable en el comportamiento eléctrico en comparación con dispositivos de mayor escala. Se modeló la respuesta eléctrica observada utilizando distintos modelos fenomenológicos que reproducen exitosamente el comportamiento experimental.