Inversión de la Magnetización en Películas Delgadas de FePt: Experimentos y Simulaciones

AUGUSTO ROMÁN; AGUSTÍN LÓPEZ PEDROSO; JAVIER E. GÓMEZ; ALEJANDRO BUTERA; KARIM BOUZEHOUANE; L. B. STEREN

Bariloche (virtual)

Encuentro; Reunión Anual del Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; 2021

La estructura de dominios tipo stripes ha sido ampliamente estudiada, tanto por sus potenciales aplicaciones como por las particularidades de su comportamiento magnético. La formación de stripes está vinculada con la relación entre la anisotropía de forma, generada por la energía magnetoestática y la anisotropía perpendicular a la superficie del film, esta relación puede expresarse mediante el factor de calidad Q=KPMA/Kd =KPMA/2Ms2. En el caso de películas delgadas con una anisotropía moderada (Q<1), los stripes aparecen a partir de un espesor crítico y presentan variaciones suaves entre un dominio y otro [1].En este trabajo, presentamos un análisis de la inversión de magnetización en películas de FePt depositadas por sputtering sobre sustratos de silicio. Variamos el espesor de las películas para examinar las propiedades magnéticas por debajo y por encima del espesor crítico. Las mismas se estudiaron mediante experimentos de magnetometría y microscopía de fuerza magnética. Los ciclos de histéresis y las imágenes MFM se simularonutilizando el software Mumax3 [2].Mediante simulaciones reprodujimos los ciclos de histéresis experimentales. Nuestros resultados indican, para el caso de las muestras cuyo espesor es superior al crítico, que la inversión de magnetización dentro de cada franja se produce por rotación coherente. En el caso de las muestras más delgadas, las simulaciones nos permitieron deducir la presencia de una anisotropía en el plano de la muestra. La relación entre esta anisotropía y el campo coercitivo sugiere una inversión de la magnetización por movimiento de paredes. Enresumen, determinamos el mecanismo de inversión de la magnetización para películas de FePt mediante experimentos y simulaciones, contribuyendo a la comprensión de este fenómeno.[1] L. Garnier et al, J. Phys.: Mater. 3 (2020) 024001[2] A. Vansteenkiste et al, AIP Adv. 4 (2014) 107133