Mecanismos de relajación en películas delgadas de Fe80Co20 con ultra-low damping

DANIEL VELÁZQUEZ RODRIGUEZ; JAVIER E. GÓMEZ; GABRIELA ALEJANDRO; AVILÉS-FÉLIX, LUIS; MELISSA VAN LANDEGHEM; ETIENNE GOOVAERTS; ALEJANDRO BUTERA

Mar del Plata (virtual)

Encuentro; XX Encuentro Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2021

MECANISMOS DE RELAJACIÓN EN PELICULAS DELGADAS DE Fe80Co20CON ULTRA-LOW DAMPING  D.Velázquez Rodriguez1*,J. E. Gómez1,G. Alejandro1,L. Avilés Félix2,M. van Landeghem3,E. Goovaerts3y A. Butera41 CentroAtómico Bariloche. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). ConsejoNacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET). Av. Bustillo9500, 8400 Bariloche, Río Negro, Argentina.‎2 Spintec, Université GrenobleAlpes, CNRS, CEA, Grenoble INP, IRIG-SPINTEC, 38054 Grenoble, France.3 Departement Fysica, UniversiteitAntwerpen, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerpen, Belgium.4 CentroAtómico Bariloche. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). ConsejoNacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET). UniversidadNacional de Cuyo (UNCUYO). Av. Bustillo 9500, 8400 Bariloche, Río Negro,Argentina.*email del autor que presenta: daniel.velazquez@cab.cnea.gov.ar  Las películas delgadas ferromagnéticas con ultra-low damping (α) se están estudiandointensamente para aplicaciones en dispositivos espintrónicos. En este trabajo analizamosla influencia de las condiciones de fabricación (potencia y temperatura de sputtering) en las propiedadesmagnéticas de bicapas Fe80Co20 / Ta depositadas sobre sustratosde MgO (001) y de Si (001). El estudio de las propiedades magnéticas se realizóutilizando técnicas de resonancia ferromagnética (FMR) y de efecto Kerrmagnetoóptico. Para las condiciones de fabricación estudiadas las muestras depositadassobre MgO (001) tienen crecimiento epitaxial [100] con un campo de anisotropíacúbica Hc ~ 300 Oe,mientras que las crecidas sobre Si (001) son  policristalinas con una pequeña anisotropíauniaxial debido al arreglo experimental del depósito (sputtering oblicuo). Con mediciones en diferentes frecuencias deexcitación determinamos valores de α excepcionalmente bajos para conductoresferromagnéticos (α ~ 3x10-3), lo que hace que del sistema Fe80Co20/ Ta un excelente candidato para futuras aplicaciones en dispositivosespintrónicos. Del análisis de la dependencia del ancho de línea de resonanciaen función de la orientación del campo magnético aplicado y la frecuencia deexcitación en los experimentos de FMR, pudimos separar la contribución de losdiferentes mecanismos de relajación (damping tipo Gilbert1, scattering de dos magnones2 ymosaicidad3) al ancho de línea de resonancia y explicarcuantitativamente el comportamiento observado. REFERENCIAS1.       J. Gómez and A. Butera,Physica B 354, 145, 2004.2.      Kh. Zakeri, J. Lindner, I. Barsukov, R. Meckenstock, M.Farle, U. von Hörsten, H. Wende, W. Keune, J. Rocker, S. S. Kalarickal, K.Lenz, W. Kuch, and K. Baberschke, Phys. Rev. B76, 104416, 2007.3.      J.R. Fermin, A. Azevedo, F.M. deAguiar, B. Li, S.M. Rezende, J. Appl.Phys. 85, 7316, 1999.