Caracterizaci´on Mediante Aniquilaci´on de Positrones de ZnO Dopado con Al

L.C. DAMONTE; G.DARRIBA; M.RENTERÍA

Congreso; Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2015

El ´oxido de zinc es un semiconductor con numerosas aplicaciones tecn´ologicas tales como dispositivos optoelectr´onicos, celdas solares, sensores de gas, etc. Es bien sabido que la adici´on de diferentes dopantes, tantodonores como aceptores, mejoran su rendimiento. En este trabajo se prepararon, por molienda mec´anica, mezclasde polvos del semiconductor ZnO y Al (´atomo nominalmente donor) con diferentes contenidos de Al (5, 10 y30 at/vol%). Los sistemas fueron caracterizados por difracci´on de rayos X y medidas de vidas medias de positrones.La evoluci´on con el tiempo de molienda de los par´ametros de aniquilaci´on ha permitido determinar laincorporaci´on del dopante en la estructura wurtzita como as´ı tambi´en la formaci´on de nuevas fases. Asimismo,a trav´es de c´alculos ab initio se han obtenido las vidas medias caracter´ısticas de cada composici´on y se comparancon las obtenidas experimentalmente. ´Estos c´alculos fueron realizados empleando el m´etodo ?Full-PotentialAugmented Plane-Wave plus local orbitals? (FP-APW+lo), mediante su implementaci´on en el c´odigo WIEN2kcon el fin de obtener la relajaci´on total de toda la estructura y las posiciones finales de equilibrio de cada sistemaestudiado. Finalmente con estas nuevas posiciones de equilibrio se calcul´o con el programa MIKA las vidas mediascaracter´ısticas de cada sistema.