“Preparación de capas finas y nanoestructuradas de ZnO para aplicación en dispositivos optoelectrónicos”

J.CEMBRERO; L.C.DAMONTE; V.DONDERIS; M.GONZALEZ; M.A.HERNÁNDEZ; B.MARI; M.MOLLAR; A.SEGURA

Valencia, España

Jornada; III Encuentro de Investigación, Universidad Politécnica de Valencia, Spain, 27-29 de junio 2005.; 2005

En la actualidad estamos investigando compuestos de ZnO preparados mediante deposición por laser pulsado (PLD) y electrodeposición (ED). El objetivo es investigar los métodos de crecimiento de los materiales y los tratamientos  posteriores con vistas a mejorar las características que influyen en el posterior funcionamiento de los dispositivos optoelectrónicos. El semiconductor ZnO posee unas propiedades que lo hacen atractivo para la preparación de dispositivos emisores y receptores en la zona del ultravioleta (UV) y en este caso se persigue mejorar las propiedades ópticas del material en el UV. Con esta finalidad, los compuestos depositados mediante los dos métodos, en forma de capas finas mediante PLD y nanoestructuradas mediante ED fueron sometidos posteriormente a tratamientos de recocido témico en atmósferas oxidantes o reductoras (aire o N2H2).  El análisis de los espectros ópticos de fotoluminiscencia (FL) y absorción óptica (AO) analizados en cada una de las etapas de recocido permiten alcanzar dos objetivos: por una parte una comprensión de la naturaleza de los defectos que se encuentran en los materiales y por otra una identificación del tipo de proceso (después de haber sido depositadas) que es requerido para mejorar las características optoelectrónicas que se requieren del material, según sea el tipo de aplicación a la que ira destinado. En el caso de las capas depositadas por PLD, se utilizaron diferentes tipos de substrato: sobre zafiro en su plano c, mica natural y fluorita; y las capas nanoestructuradas depositadas mediante electrodeposición se utilizaron substratos de vidrio conductor. El análisis de las propiedades de cristalinidad y naturaleza de defectos está muy bien representando en los espectros de FL, donde mediante las dos principales bandas de emisión (centradas en 364 nm y 500nm) podemos observar la evolución de estas propiedades