Dosimetría basada en sensores integrados CMOS para uso en haces mixtos de fotones y neutrones en BNCT

GIMÉNEZ, M. L.; LIPOVETZKY, J.; LONGHINO, J.; ALCALDE BESIA, F.; FAIGON, A.; CARBONETTO, S.; GARCIA INZA, M.; REDIN, E. G.; GOMEZ BERISSO, M. G.

Jornada; 101° Reunión Nacional de la Asociación de Física Argentina; 2016

Se implementó un prototipo de dosímetro para haces mixtos de fotones y neutrones en radiaciones in-vivo utilizando transistores MOS.Hasta el momento, nunca se había podido determinar la dosis absorbida debido a radiación con neutrones utilizando dichos sensores. Elfuncionamiento de estos dosímetros se basa en los transistores FOXFET. Éstos son más sensibles a radiación ionizante que lostransistores MOS comerciales. Midiendo el corrimiento de las curvas I-V de los transistores, es posible determinar la dosis absorbida entiempo real. Se estudió su respuesta en haces de fotones gamma utilizando una fuente de 137 Cs y en un haz mixto de neutrones yfotones gamma en BNCT. Para detectar neutrones por medio del proceso de captura neutrónica con gadolinio, se cubrió al sensor conuna capa de Gd 2 O 3. Se realizaron pruebas con espesores de 80 μm y 20 μm. Para ambos, resultó que el dosímetro es más sensible aneutrones epitérmicos que a térmicos, debido a que el rango de los electrones secundarios es menor a dichos espesores. Por último sepudo determinar la dosis gamma y la fluencia de neutrones epitérmicos en una aplicación en una perra con un tumor cerebral en BNCT.