Calibración de sensores MOS usando la técnica BCCM para la medición de dosis en radioterapia

REDIN, E.; LIPOVETZKY, J.; GARCIA INZA, M.; SAMBUCO SALOMONE, L.; CARBONETTO, S.; FAIGON, A.

Jornada; II Reunión Conjunta SUF­-AFA; 2011

En trabajos recientes, se presento una tecnica de medicion de dosis usando dispositivos MOS (Metal Óxido Semiconductor) llamada BCCM (Bias Controlled Cycled Measurements). Este trabajo presenta la calibracion sistemática de sensores MOS con ́óxidos de 140 nm de espesor, con miras a su uso como sensores en un dosímetro de radiación para utilizar en tratamientos de radioterapia. Inicialmente, se midieron las respuestas de los sensores cuando eran irradiados bajo distintas tensiones de polarización positivas -que causan la captura de carga en el óxido-, y negativas que causan su neutralización. A partir de estas respuestas, se determinaron las tensiones de polarización, rangos de tensiones de umbral que maximizan la sensibilidad durante toda la medición. Usando esas tensiones, se obtuvo de la respuesta de los transistores usando la técnica BCCM, irradiándolos con una fuente de 60Co a una tasa de dosis de 0,5 Gy/min, con dosis totales de hasta 1 kGy. Se presentan los resultados de la calibración, dispersión y repetitividad.