Sensor diferencial de radiación ionizante basado en transistores MOS de óxido grueso

CARRÁ, M.J.; GARCÍA INZA, M. A.; LIPOVETZKY, J.; CARBONETTO, S.; REDIN, E. G.; FAIGON, A.

Congreso; 23o Congreso Argentino de Control Automático AADECA 2012; 2012

La exposición a la radiación ionizante de una juntura MOS provoca un incremento en la carga positiva atrapada en el óxido entre otros efectos. Si la juntura es parte de un transistor este efecto se manifiesta mediante un corrimiento de la tensión de umbral del mismo y es un buen estimador de la dosis absorbida por el dispositivo. Sin embargo la tensión de umbral también depende de la temperatura y, para bajas dosis de radiación, la incerteza introducida debido a la temperatura es un problema. En este trabajo se presenta el diseño, caracterización de los componentes, simulación e implementación de un esquema de sensores diferenciales con transistores canal-N de óxido grueso para mejorar la respuesta dosimétrica.