El Dosímetro FOXFET. Estructura y caracterización

GARCIA INZA, M.; LIPOVETZKY, J.; CARBONETTO, S.; REDIN, E. G.; SAMBUCO SALOMONE, L.; FAIGON, A.

Simposio; IV Simposio Internacional de Electrónica: diseño, aplicaciones, técnicas avanzadas y retos actuales; 2013

Dosímetros MOS de alta sensibilidad no pueden producirse en las tecnologías MOS actuales dado que los óxidos de puerta son muy delgados y con tendencia a adelgazarse mientras que la sensibilidad crece con el espesor del óxido. En este trabajo se presenta el FOXFET como sensor de radiación ionizante, un transistor MOS construido a partir de estructuras parásitas que se encuentran en todos los procesos de fabricación estándar. Este nuevo dispositivo fue caracterizado tanto eléctricamente como también frente a radiación ionizante. Los resultados muestran que el FOXFET efectivamente se comporta como un transistor MOS, y que como sensor de radiación se logran sensibilidades de hasta 500 mV/Gy, valor ampliamente superior al de los transistores nativos del proceso de fabricación. La sensibilidad obtenida es adecuada para el monitoreo de tratamientos de radioterapia y habilita a esta clase de dosímetros a ensayarse en aplicaciones de radiodiagnóstico.