INTEC   05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Preparación sistemática de ZrO2 dopada con Ga2O3 para su empleo como soporte de catalizadores
Autor/es:
PAMELA B. SANGUINETI; MIGUEL A. BALTANÁS; KARIM SAPAG; ADRIAN L. BONIVARDI
Lugar:
Facultad de Ciencias Exactas y Naturales de la Universidad de Buenos Aires
Reunión:
Congreso; XVI Congreso Argentino de Catálisis; 2009
Institución organizadora:
Facultad de Ingeniería de la Universidad de Buenos Aires
Resumen:
Se preparó Ga2O3 soportado sobre ZrO2 mesoporoso (SBET = 96 m2/g, Vp = 0.037 cm3 STP/g, dp prom(BJH) = 3.8 nm) obtenido por el método de sol-gel a partir de la hidrólisis de n-propóxido de circonio(IV) en 1-propanol. La adición de galio (desde 1.5 a 8.9 % p/p Ga2O3/ZrO2) por impregnación por humedad incipiente de nitrato de galio (III), condujo a materiales que luego de la calcinación (aire/O2, 723 K, 4/3 h) no sufrieron modificaciones de los parámetros estructurales del soporte, excepto una disminución progresiva del área superficial hasta 61 m2/g para la muestra con mayor  carga de galio. Luego de adsorber H2 (760 Torr) a 723 K, se detectó por espectroscopia IR una banda a 1990 cm-1 característica del estiramiento del enlace Ga-H sobre sitios galio en posiciones octaédricas. La adsorción de CO2 a 298 K, seguida por IR, sobre Ga2O3/ZrO2 mostró que la cantidad de especies (bi)carbonato formadas disminuye con el aumento del contenido galio en los materiales, coherente con la menor basicidad del Ga2O3 respecto del ZrO2. A partir de las isotermas IR de adsorción de CO2 se estimó el cubrimiento de galia en Ga2O3/ZrO2, el cual alcanzó aproximadamente el 50% para 8.9 % p/p de Ga2O3/ZrO2.