INTEC 05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Presion hidrostatica con relajacion sobre la estructura y las propiedades opticas del compuesto ortorrombico SnS
Autor/es:
L. MAKINISTIAN, E.A. ALBANESI
Lugar:
Rosario, Argentina
Reunión:
Congreso; 94 Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2009
Institución organizadora:
Asociacion Fisica Argentina
Resumen:
El cristal semiconductor SnS forma una estructura ortorrómbica en capas, caracterizada por interacciones débiles del tipo de van der Waals entre capas diferentes, y por ligaduras fuertes entre los átomos dentro de cada capa. En otros trabajos hemos estudiado las propiedades electrónicas y ópticas de este material a presión ambiente, mientras que en este, estudiamos cómo influye la presión hidrostática sobre las funciones dieléctricas y algunas propiedades ópticas del compuesto SnS. Basamos nuestros cálculos en un método Full Potential Linearized Augmented Plane Wave (FP-LAPW), dentro de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT), considerando el efecto de la interacción spin-órbita. Discutimos el efecto de la presión tanto sobre la energía interna del material como sobre las posiciones de los átomos dentro de la celda unitaria. A esto último lo realizamos dejando relajar las posiciones atómicas con cada cambio de los parámetros de red que establecemos para simular la presión (merece reportarse que al no tener una respuesta mecánica isótropa, el material en estudio debe deformarse según cocientes a/a, b/b, y c/c diferentes para simular presión hidrostática). Finalmente, reportamos la caracterización óptica del material a distintas presiones.
