Efectos de la presion sobre el GeTe en sus fases rombohedrica y cubica

M.V.WALZ, E.A. ALBANESI

Rosario, Argentina

Congreso; 94 Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2009

Asociacion Fisica Argentina

Las combinaciones de elementos IV-VI de la tabla peri ´odica, tales como Ge, Sn, Pb-telururos, permiten obtener compuestos y heteroestructuras semiconductoras que actualmente cumplen un importante rol como componentes de dispositivos optoelectr´onicos. Particularmente, estudiamos el compuesto GeTe, del cual, si bien la fase c´ubica es la m´as estudiada, la romboh´edrica es la estable a temperatura ambiente. En este trabajo analizamos comparativamente las conductividades correspondientes a ambas fases. Tambi ´en estudiamos los efectos que la presi´on produce sobre el material, para lo cual realizamos el c´alculo desde primeros principios de energ´ýas totales, as´ý como otras propiedades estructurales como el par´ametro de red de equilibrio y el m´odulo de bulk, analizando tambi´en las variaciones del band gap con la presi´on, para ambas fases. Para los c´alculos, hemos utilizado el m´etodo FP-LAPW dentro de la Teor´ýa de la Densidad Funcional (DFT) e incluido el acoplamiento espin-´orbita, comparando los resultados con la informaci´on experimental existente.