INVESTIGADORES
CAPPELLETTI Marcelo Angel
congresos y reuniones científicas
Título:
Modelización de fotodiodos con diferentes niveles de trampas profundas
Autor/es:
MARCELO ANGEL CAPPELLETTI; ARIEL PABLO CÉDOLA; SEBASTIÁN MONTERO; EITEL LEOPOLDO PELTZER Y BLANCÁ
Lugar:
Buenos Aires
Reunión:
Workshop; 93ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2008
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
El desarrollo constante de técnicas computacionales ha permitido, estudiar en
profundidad las propiedades puntuales de los dispositivos optoelectrónicos de alta
velocidad, brindando la posibilidad de diseñar dispositivos que cumplan aplicaciones
específicas. El presente trabajo se propone contribuir en esta línea de investigación, a
partir del estudio de fotodiodos PIN, mediante simulación y modelado de los procesos
físicos que en ellos ocurren, con la finalidad de poder determinar sus propiedades de
funcionamiento y su respuesta cuando se encuentran bajo los efectos de la radiación
solar y trabajando a diferentes temperaturas. En particular, se ha analizado como es
afectada la corriente oscura de los dispositivos.
Los fotodiodos estudiados consideran diferentes niveles de trampas profundas en
la banda prohibida del semiconductor, que deben su origen a los metales de transición
introducidos intencionalmente, como impurezas, en su proceso de fabricación, en
particular, paladio, oro, hierro y cadmio.
Entre los resultados obtenidos por medio de las simulaciones se tiene que el
fotodiodo con impurezas de cadmio es quien sufre el mayor incremento de la corriente
oscura con la radiación de protones. Mientras que el fotodiodo con impurezas de paladio
es quien resulta más inmune a la radiación, pero tiene la menor tasa de recombinación
de los cuatro modelos, lo cual le quita eficiencia para aplicaciones que requieran gran
velocidad. Por lo tanto, en el momento de diseñar un dispositivo se debe tener en cuenta
que no es posible obtener simultáneamente los valores deseados de la tasa de
recombinación y de la corriente oscura.
Los resultados obtenidos ayudan a comprender, describir y predecir el
comportamiento de los fotodiodos PIN, con impurezas, bajo diferentes condiciones de
operación. Este estudio presenta gran utilidad para aplicaciones reales y para el diseño
de futuros dispositivos.