Estudio de las Interacciones Magnéticas en superficies de GaNMn

SEVERINO, RAMIRO; LAGO, ADRIÁN; YINGQUIAO , MA; ABHIJIT V. CHINCHORE; ARTHUR R. SMITH; BARRAL, MARÍA ANDREA; FERRARI, VALERIA

San Martín, Buenos Aires

Jornada; Reunion INN-CAC-CAB; 2018

Insituto de Nanociencias y Nanotecnología (INN)

Un sistema espintrónico ideal se basa en la utilización de la inyección de espín desde un material ferromagnético hacia un material semiconductor (a temperatura ambiente o mayor), con el objetivo de obtener propiedades altamente deseables, como por ejemplo el transporte polarizado en espín y la transferencia de información de estado de espín. En el 2006, se reportó que el crecimiento de 𝛿-MnGa sobre una matriz de GaN wurtzita (w-GaN), Ga-polar, mostró comportamiento ferromagnético. En 2013, se encontró que depositando átomos de Mn sobre una estructura N-polar de w-GaN se constituye una estructura de superficie de algunos átomos de espesor sobre la matriz de GaN, denominada MnGaN-2D. Modelos basados en cálculos de primeros principios mostraron que los átomos de Mn sustituyen átomos de Ga en la superficie. Aquí, mostramos la construcción controlada de la estructura MnGaN-2D y la existencia de dominios magnéticos a temperatura ambiente, confirmados a través de experimentos y cálculos de primeros principios. Las propiedades magnéticas encontradas hacen del MnGaN un excelente candidato a utilizar en dispositivo espintrónicos.