INVESTIGADORES
PASSEGGI Mario Cesar Guillermo
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio del crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopia de electrones Auger y análisis de componentes principales
Autor/es:
PASSEGGI (H), M.C.G.; VIDAL, R.A.; FERRÓN, J.
Lugar:
Villa Giardino (Córdoba), 24-29 Octubre
Reunión:
Otro; AFA´94, 79a. Reunión de la Asociación Física Argentina; 1994
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopia de electrones Auger (EEA) y análisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una respecto de la otra 0.6 eV. Este no es compatible con un corrimiento continuo sino con la existencia de un desdoblamiento de la señal de K en dos componentes, este desdoblamiento sugiere la existencia de sitios de adsorción inequivalentes en el GaAs o bien un efecto importante de la interacción K-K en la formación de agregados atómicos. La tercera componente que aparece desde el comienzo de la evaporación revela que la interface es reactiva.