Propiedades electrónicas y estructurales de clusters de Si6Om (m=1-11)

OFELIA OÑA; MARIA C. CAPUTO; MARTA B. FERRARO; JULIO C. FACELLI

BUENOS AIRES-ARGENTINA

Congreso; 93 REUNION NACIONAL DE FISICA y XI REUNION DE LA SOCIEDAD URUGUAYA DE FISICA; 2008

ASOCIACION FISICA ARGENTINA

        Materiales de óxido de silicio juegan un rol importante en muchas áreas de latecnología moderna como por ejemplo en la industria microelectrónica (amorfo de sílicees uno de los principales materiales en la fibra óptica). Recientemente se ha encontradoque clusters pequeños de óxidos de silicio tienen un importante efecto en el crecimientode materiales de nano-tamaño[1].        Conocer las estructuras y estabilidad de clusters de óxido de silicio puede proveerinformación para elucidar los procesos por el cual ocurre la oxidación, el rol de defectosen óxidos, la naturaleza de la estructura amorfa y el fenómeno de fase-condensación [2].        Se estudian las propiedades electrónicas y estructurales de clusters neutros deSi6Om (m=1-11) clasificados en dos series: i) Si6Om (m=1-6), presentan clusters pequeñosde silicio con fragmentos de óxido de silicio, ii) clusters ricos en oxígeno Si6Om (m=7-11)cuyas geometrías más estables presentan al silicio con mayor número de coordinacióncon los oxígenos. Las estructuras fueron obtenidas usando Algoritmos Genéticos (GA).        [1] W. C. Lu, C. Z. Wang et. al. J. Phys. Chem. A 107, 6936 (2003).        [2] James R. Chelikowsky, Phys. Rev. B 57, 3333 (1997).