Construcción y caracterización de memorias resistivas basadas en TiO2

IGNACIO ABINZANO; CARLOS PERALTA; ARIEL KLEIMAN; ADRIANA MÁRQUEZ; DANIEL VEGA; CARLOS ACHA

Bariloche

Encuentro; XVII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2017

Centro Atómico Bariloche

Se construyeron memorias resistivas de tipo condensador en base a TiO2 depositado sobre Ti mediante la técnica de descargas por arco catódico, mientras que los electrodos superiores de Pt se depositaron por sputtering. Se emplearon dos espesores para la capa de TiO2, de 50nm y 120nm aproximadamente. El crecimiento del TiO2 se realizó con temperaturas de 200°C, 400°C y 500°C, consiguiendo así las fases amorfa, anatasa y rutilo respectivamente. Los films de Ti-TiO2 fueron caracterizados mediante microscopía SEM y difracción de rayos X. Mediante la realización de ciclos de características corriente-tensión (I-V) se estudiaron las capacidades de conmutación resistiva(CR) de los distintos dispositivos a temperatura ambiente, obteniéndose valores altos y bajos de resistencia gracias a una CR del tipo bipolar, sin la necesidad de realizar tratamientos previos de pre-formado. Se analizó la repetitividad y la durabilidad de estos dispositivos.