Conmutación resistiva asociada a la oxidación y reducción de films delgados de la manganita La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-δ

W. ROMÁN ACEVEDO; D. RUBI; C. ACHA

Bariloche

Encuentro; XVII Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2017

CAB-CNEA

La conmutación resistiva (Resistive Switching, o RS) se define como el cambio reversible, no volátil, de laresistencia eléctrica de sistemas metal-óxido-metal ante la aplicación de estímulos eléctricos. Estedispositivos, llamados también memristores, son la base para el desarrollo de una nueva generación dememorias no volátiles (RRAM). Entre los óxidos con propiedades memristivas se encuentra los óxidos demanganeso conocidos como manganitas. El mecanismo de RS en estos sistemas se suele asociar almovimiento de vacancias de oxígeno desde y hacia la interfaz con el metal, lo que produce cambios en laaltura de la barrera Schottky y por lo tanto modula la resistencia del dispositivo [1]. Este efecto, si bien seasocia a la migración de defectos, no involucra transiciones entre fases distintas del óxido.En este trabajo presentamos un escenario distinto para el caso de la manganita La0.5Sr0.5Mn0.5Co0.5O3-δ(LSMCO). Este óxido tiene la particularidad de presentar dos fases estables, con distinto contenido deoxígeno [2]. Mediante un control cuidadoso del estímulo eléctrico aplicado a films delgados epitaxiales dePt/LSMCO/Nb:SrTiO3, demostramos que es posible obtener RS asociado a la oxidación y reducción delLSMCO. Esta clase de mecanismo, si bien se ha reportado en óxidos simples como el TiOx, es inusual enóxidos complejos. Mediante espectroscopía de impedancias modelamos los circuitos equivalentes paralos estados de alta y baja resistencia. Se presentan también medidas de retentividad, durabilidad ymediante el análisis de las curvas de corriente-voltaje se determinan los mecanismos de conduccióneléctrica.