SOBRE LA RELACIÓN ENTRE LA DEFORMACIÓN Y LA RESISTENCIA ELÉCTRICA EN LA TRANSFORMACIÓN MARTENSÍTICA INDUCIDA POR TENSIONES EN MATERIALES CON MEMORIA DE FORMA

JORGE PELEGRINA; GRACIELA BERTOLINO; ALEJANDRO YAWNY

Córdoba

Congreso; Congreso Internacional de Metalurgia y Materiales / 16 SAM-Conamet; 2016

SAM

Una de las aplicaciones de los denominados Materiales con Memoria de Forma (MMF) es en dispositivosactuadores. En ellos se genera un cambio de dimensión como consecuencia de una variación de latemperatura impuesta, que puede ser utilizado para distintas funciones de posicionamiento enmicromecanismos. La utilización de la variación de la resistencia eléctrica del núcleo actuador de MMF hasido propuesta como una alternativa conveniente para el control realimentado de la deformación generada,evitando el uso de sensores de desplazamiento adicionales (voluminosos y costosos). Por este motivo, lacaracterización de la relación entre la deformación y la variación de la resistencia eléctrica en MMF baseNiTi y base Cu ha sido objeto de intenso estudio. Los resultados sin embargo no son concluyentes. Esto sedebe principalmente al comportamiento no-lineal de los MMF, a la existencia de una histéresis y al efectodel calor latente de transformación asociados a la transformación martensítica responsable delcomportamiento de estos materiales.Se presentan resultados de medidas de deformación y resistencia eléctrica realizadas simultáneamente enensayos mecánicos de monocristales de MMF de CuZnAl. Se puso énfasis en los efectos de la velocidad dedeformación y la temperatura, relevantes para el tipo de aplicación considerada. Se encontró unadependencia lineal entre estas magnitudes, cuya pendiente cambia con la temperatura del ensayo. Seplanteó un modelo simple, de dominios de las fases austenita y martensita dispuestos en serie, para simularla dependencia de la resistencia con la deformación. Este modelo predice el comportamiento linealencontrado y, en forma aproximada, su dependencia con la temperatura. El análisis realizado indica que eluso de MMF del tipo CuZnAl, con baja dependencia de la temperatura crítica de transformación con latensión aplicada, baja histéresis y alta conductividad térmica es recomendable para aplicaciones de tipoactuador-sensor.