Estudio del Gradiente de Campo Eléctrico en Impurezas Cd en la Superficie (111) del In Metálico

G.N. DARRIBA; R. FACCIO; M. RENTERÍA

Merlo

Congreso; 100° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2015

AFA

En este trabajo presentamos un estudio basado en cálculos de primeros principios de la estructura electrónica de impurezas Cd localizadas en la superficie(111) del In metálico, con el fin de discutir las interacciones hiperfinas observadas experimentalmente en sitios de impureza 111In(-->111Cd) localizadas sobrela superficie y en el interior del metal a diferentes profundidades de la superficie. Los resultados experimentales provienen de experimentos de CorrelacionesAngulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (TDPAC) sobre películas delgadas de In. Para llevar a cabo este estudio empleamos dos métodos con basesdiferentes: el método ?Full-Potential Augmented Plane-Wave plus local orbitals? (FP-APW+lo), mediante su implementación en el código WIEN2k, y el usode bases localizadas y numéricas, mediante el uso del código SIESTA. La impureza Cd fue localizada en sitios sustitucionales de In en la superficie (111) delIn metálico previamente reconstruida, y en función de la profundidad respecto de dicha superficie.Como resultado mas relevante podemos decir que nuestros cálculos predicen que el gradiente de campo eléctrico (GCE) sobre impurezas en la superficie esdel orden de 4 veces mas grandes que el producido por impurezas localizadas dentro del bulk, en perfecto acuerdo con lo observado experimentalmente.