INTEGRACIÓN DE DISPOSITIVOS MEMRISTIVOS BASADOS EN FILMS DELGADOS

F. GOLMAR; M. BARELLA; P. GRANEL; D. RUBI; C. ACHA; P. LEVY

Buenos Aires

Encuentro; XVI Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados; 2016

Comité Nacional del evento

El efecto de conmutación resistiva (resistive switching) se basa en cambio reversibley no volátil de la resistencia eléctrica de un material ante la aplicación de estímuloseléctricos, y constituye la base para el desarrollo de una nueva generación dememorias no volátiles (ReRAM). En trabajos previos crecimos diferentes memoriasbasadas en TiO2-x, y La1/3Ca2/3MnO3 por distintas técnicas de crecimiento(Sputtering reactivo, Ablación Laser), demostrado la potencialidad de este tipo dedispositivos como memorias no volátiles. En esta charla contaré las diferentesetapas abordadas al realizar la miniaturización de dispositivos de TiO2-x yLa1/3Ca2/3MnO3 utilizando diferentes estrategias (técnicas de litografía UV, láser, yelectrónica, ion milling). Al realizar los ensayos eléctricos sobre los dispositivosminiaturizados obtuvimos una mejora notable en su perfomance, al compararloscon los dispositivos originales. La charla se centrará en la descripción de losprocesos de miniaturización, y en el análisis de la respuesta eléctrica obtenida atemperatura ambiente. También discutiré las etapas ulteriores (soldaduras,empaquetamiento, etc.) que hemos realizado sobre algunos dispositivos, pararealizar su montaje en una plaqueta electrónica y posterior envío en unmicro-satélite a una órbita a 500km de altura.