Estudio del daño por radiación en multicapas de compuestos III-V

PAULA GIUDICI

Merlo

Congreso; 99. Reunión anual Asociación Física Argentina; 2015

Las celdas solares de triple junturas basadas en compuestos III-V son actualmente el estado del arte para aplicaciones espaciales debido a su alta eficiencia (30% en celdas InGaP2/GaAs/Ge). El espacio es sin embargo un medio hostil que contiene partículas energéticas que llevan a la degradación de las celdas, reduciendo la vida media de los satélites [1-2]. El software más usado para simular la irradiación con protones es el código SRIM [3]. Dicho software puede calcular rangos de penetración de los protones y elnúmero de vacancias generadas en diferentes materiales semiconductors. Para entender el origen de la degradación de los parámetros eléctricos de los dispositivos en el espacio es necesario entender sus materiales constitutivos. En este trabajo investigamos, por medio de espectroscopía μ-Raman y μ-PL, el perfil del daño producido en capas de InGaP y GaAs por protones de 2 MeV.