Memoria magneto-resistiva en La0,5Ca0,5MnO3

JOAQUIN SACANELL; F. PARISI; L. GHIVELDER; G. POLLA; P. LEVY

Bariloche, Argentina.

Congreso; Reunión Anual de la AFA 2003; 2003

Asociación Física Argentina

Estudiamos un efecto de memoria en La_{0.5}Ca_{0.5}MnO_{3}, un compuesto que presenta coexistencia de fases ferromagnética metálica (FM) y antiferromagnética con orden de carga (AFCO), fenómeno conocido como separación de fases (SF). El compuesto presenta dos transiciones de fase, paramagnética a FM (T_{C} ~ 225 K) y FM a AFCO (T_{co} ~ 150 K). A baja temperatura, el sistema presenta SF. La respuesta a la aplicación de un campo magnético (H) depende de la temperatura involucrada: el material tiene una SF suave para T_{C} > T > 200 K, intermedia para 200 K > T > T_{co} y fuerte para T < T_{co}. Teniendo esto en cuenta, exploramos la posibilidad de escribir memoria con H en dos formas: Modo ZFC:La muestra se enfría sin H para mediciones de resistividad (rho) y en H bajo (H_{0} ~ 0.1T) para mediciones de magnetización (M). Luego, se aplican distintos valores H_{ap} (>H_{0} para mediciones de M) durante tiempos de 30 min. y se apagan por un tiempo igual. Durante el experimento se mide rho o M según el caso.Observamos que el efecto es irreversible para 150 K < T < 200 K dando lugar a una memoria con el H_{ap}. El material guarda memoria del mayor H_{ap}, no pudiendo borrarse hasta aplicar un H mayor. Modo FC:La muestra se enfría en un H_{FC} ~ 1 T. Luego este se reduce aplicando deltaH< 0 crecientes en módulo que son encendidos y apagados de manera a la anterior. El H_{FC} estabiliza regiones FM, entonces la memoria queda guardada en el crecimiento de regiones no FM al reducir el H. Similarmente al experimento anterior, la memoria guarda el mayor DeltaH aplicado. En este procedimiento, observamos memoria para los rangos 70 K < T < 150 K y 150 K < T < 200 K.Observamos que los cambios son más notorios en el modo FC.