Cálculos ab initio de las propiedades electrónicas y ópticas de los semiconductores SnS y SnSe

L. MAKINISTIAN; E. A. ALBANESI

Salta, Argentina

Congreso; 92º reunión anual de la Asociación Física Argentina (AFA); 2007

En este trabajo, aplicamos el método FP-LAPW, implementado en el paquete de software Wien2k, para la modelización de los compuestos IV-VI sulfuro de estaño (SnS) y seleniuro de estaño (SnSe). Estudiamos las propiedades electrónicas y ópticas de estos calcogenuros ortorrómbicos con distintas aproximaciones del potencial de intercambio-correlación (GGA y LDA), obteniendo para cada sistema, que las diferencias entre ambos esquemas son despreciables. También evaluamos la inclusión de la interacción espín-órbita, observando que la misma introduce ligeros desdoblamientos de bandas, principalmente en la banda de conducción. Los band gaps se ubican muy similarmente en la BZ y son de, aproximadamente, 0.6 y 0.8 eV para el SnS y para el SnSe, respectivamente. En base a nuestros resultados de estructura de bandas, densidad de estados (DOS) y propiedades ópticas (función dieléctrica, índice de refracción complejo, absorción y reflectividad), se pueden explicar aspectos de la anisotropía del cristal, pudiendo comparar exitosamente nuestros resultados con los experimentales disponibles en la literatura.