Estudio mediante STM de bombardeo i¨®nico en grafito HOPG

J.C.MORENO L¨®PEZ; N. BAJALES; M.C.P.PASSEGGI(H); J. FERR¨®N

Mar del Plata

Congreso; LASPM; 2007

El grafito es un semi-metal, o un semiconductor de ¡°gap¡± cero, que actualmente est¨¢ siendo muy utilizado como sistema modelo para materiales atractivos, con propiedades realmente novedosas, tales como nanotubos de carbono, fullerenos, nanografitos, etc [1]. El grafito utilizado es usualmente el pirol¨ªtico altamente orientado (HOPG). Este presenta una estructura hexagonal con el eje c perpendicular a la superficie y sus ¨¢tomos pueden dividirse en dos grupos, ¦Á y ¦Â. Los ¨¢tomos a se ubican justo arriba de los ¨¢tomos de la capa subyacente y los ¨¢tomos b en el centro del hex¨¢gono subyacente Debido a su ubicaci¨®n, los ¨¢tomos b poseen una mayor densidad local de estados (LDOS) cerca del nivel de Fermi, por ello son m¨¢s f¨¢ciles de detectar con el STM. Esto ha originado que las im¨¢genes com¨²nmente observadas posean una celda triangular, y no la celda hexagonal en forma de panal de abeja, que describe al material. La observaci¨®n de im¨¢genes hexagonales [2] ha sido generalmente atribuida a efectos de la punta [3] ¨® a movimientos de las capas de grafito [4]. En este trabajo estudiamos las modificaciones en las im¨¢genes STM de HOPG introducidas por el bombardeo con iones Ar+ de baja energ¨ªa. Uno de los efectos del bombardeo es la separaci¨®n de las capas de grafito, lo que produce variaciones de la LDOS, alterando por tanto la corriente t¨²nel. Las im¨¢genes t¨²nel de topograf¨ªa son complementadas por mediciones de la LDOS a trav¨¦s de curvas intensidad vs. voltaje (I/V). [1] T. Matsui, H. Kambara, Y. Niimi, K. Tagami, M. Tsukada, H. Fukuyama, Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 226403. [2] Y. Wang, Y. Ye, K. Wu, Surf. Sci. 600 (2006) 229. [3] H.A. Mizes, S.-I. Park, W.A. Harrison, Phys. Rev. B 36 (1987) 4491. [4] P.J. Ouseph, T. Poothackanal, G. Mathew, Phys. Lett. A 205 (1995) 65.