INVESTIGADORES
CARBONETTO SebastiÁn Horacio
congresos y reuniones científicas
Título:
Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de alto-K
Autor/es:
SAMBUCO SALOMONE, L.; CARBONETTO, S.; GARCIA INZA, M.; LIPOVETZKY, J.; REDIN, E. G.; CAMPABADAL, F.; FAIGON, A.
Reunión:
Congreso; II CONGRESO DE MICROELECTRÓNICA APLICADA 2011; 2011
Resumen:
Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer Deposition (ALD) como aislante de puerta son estudiados y caracterizados eléctricamente en relación a su dependencia con la tensión aplicada y el tiempo, mediante diferentes experimentos. Un modelo físico basado en un frente de túnel es propuesto con el fin de explicar los resultados obtenidos y poder extraer los parámetros físicos asociados, como la densidad y distribución energética de las trampas responsables de dichos fenómenos de captura.
