INVESTIGADORES
CARBONETTO SebastiÁn Horacio
congresos y reuniones científicas
Título:
Diseño de estructuras CMOS para sensado de carga atrapada en el óxido
Autor/es:
GARCÍA INZA, M. A.; LIPOVETZKY, J.; CARBONETTO, S. H.; REDÍN, E. G.; FAIGON, A.
Lugar:
Entre Ríos, Argentina
Reunión:
Jornada; XVII Jornadas de Jóvenes Investigadores, Asociación de Universidades del Grupo Montevideo (AUGM); 2009
Institución organizadora:
AUGM
Resumen:
Las características eléctricas de los dispositivos Metal Óxido Semiconductor (MOS) se modifican cuando carga eléctrica es atrapada en el óxido. Esto puede deberse a diferentes causas tales como la exposición a radiación ionizante, estrés eléctrico, o como subproducto de procesos de fabricación, pudiendo resultar crítico en el funcionamiento de un sistema electrónico. Estructuras orientadas al sensado de dicha carga son de interés para su uso como sensores o para control de procesos. En este trabajo se presentan los resultados del diseño y fabricación de estructuras que optimizan la sensibilidad frente a la captura de carga en el óxido para un proceso CMOS comercial. Se presentan también resultados obtenidos al testear las diferentes estructuras exponiéndolas a rayos gamma provenientes de una fuente de Cobalto 60.
