Conmutación resistiva en junturas metal-óxido realizadas sobre films de YBa2Cu3O7 crecidos por MOCVD

LANOSA, LEANDRO; BOUDARD, MICHEL; JIMÉNEZ, CARMEN; ACHA, CARLOS

Rosario

Congreso; V Reunión Nacional de Sólidos; 2013

Debido a los crecientes requerimientos en memorias para uso informático, se buscan alternativas a las tecnologías actuales para incrementar su velocidad y densidad de almacenamiento. Entre las alternativas actuales disponibles se encuentran las llamadas ReRAM (resistance random access memory), que hacen uso del fenómeno de conmutación resistiva (CR)presente en junturas metal/oxido para almacenar información[1]. Este fenómeno permite alternar entre estados de alta (RH) y baja (RL) resistencia mediante la aplicación de un campo eléctrico en la juntura. Nuestro grupo viene estudiando hace ya algunos años las propiedades de CR de interfases metal-cerámico superconductor (YBCO)[2;3;4;5]. Con el objetivo de comprobar si las ReRAM pueden llegar a usarse en ambientes hostiles (ej. bajo radiación en el espacio), es necesario inicialmente considerar la miniaturización de los dispositivos, realizando para ello junturas metal-óxido sobre óxidos crecidos en capas delgadas, y estudiar las características particulares de la CR en este tipo de dispositivos. En una etapa posterior, se debería estudiar la sensibilidad a la radiación ionizante de las diversas propiedades de CR del dispositivo. En este trabajo presentamos los resultados de la etapa inicial, ligados a la realización de dispositivos con electrodos metálicos de Au y Pt, depositados por sputtering sobre un film delgado de YBCO que fue sintetizado mediante la técnica de MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Se muestran los estudios de sus propiedades de conmutación resistiva, de su memoria volátil y no volátil tras la aplicación de pulsos de voltaje eléctrico y de las características I-V a diferentes temperaturas. Se analiza el conjunto de resultados obtenidos considerando distintos mecanismos de conducción[6] a través de la interfase.