Determinación de la orientación del GCE en monocristales del semiconductor dopado -Al2O3:Ta

M. RENTERÍA, G. N. DARRIBA, L. A. ERRICO, E. L. MUÑOZ Y P.D. EVERSHEIM

Bahia Blanca, Argentina

Congreso; 89 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2004

Asociacion Fisica Argentina

Recientemente, metodos como el FP-LAPW en el marcode la teora de la Funcional Densidad (DFT) han sido aplicadoscon exito al estudio de semiconductores dopados, permitiendola descripcion de interesantes propiedades estructuralesy electronicas en impurezas metalicas. El metodoFP-LAPW permite hoy uno de los calculos mas precisos deltensor gradiente de campo electrico (GCE) en impurezas.La determinacion de la orientacion del GCE, un observablefsico adicional a los que pueden determinarse usualmenteen experimentos PAC con muestras policristalinas, puedeconvertirse en un factor determinante a la hora de dilucidarentre distintos modelos que describan el GCE en impurezasen semiconductores [PRL 89, 55503 (2002)] y, almismo tiempo, chequear las aproximaciones que se realizanen la DFT y las propiedades que de ellas se obtienen [PRB67, 144104 (2003)]. En este trabajo presentamos resultadospreliminares de experimentos PAC en monocristales de-Al2O3 implantados con iones 181Hf(que decae a 181Ta).La magnitud, asimetra y orientacion del tensor GCE (conrespecto a los ejes cristalinos) se determinaron midiendolas curvas de rotacion de espn en funcion de las diferentesorientaciones del monocristal respecto al sistema de laboratorio.Los resultados son analizados en el marco de calculosab initio y del modelo de cargas puntuales y con resultadosPAC en otras impurezas y el mismo huesped.