• Esquemas de oxidación en clusters mixtos Si6O

OÑA O. B., TIZNADO W. , CAPUTO M. C., FERRARO M. B., FUENTEALBA P.

SALTA

Congreso; 92 REUNION NACIONAL DE FISICA; 2007

ASOCIACION FISICA ARGENTINA

Materiales de óxido de silicio juegan un rol importante en muchas áreas de la tecnología moderna,  como por ejemplo en la industria microelectrónica (el amorfo de sílice  es uno de los principales materiales en la fibra óptica). Recientemente se ha encontrado que clusters pequeños de óxidos de silicio tienen un importante efecto en el crecimiento de materiales de tamaño nano [1]. Conocer las estructuras y estabilidad de clusters de óxido de silicio puede proveer información para elucidar el mecanismo de los procesos de oxidación, el rol de defectos en óxidos, la naturaleza de la estructura amorfa y el fenómeno de fase-condensación [2]. Aquí presentamos los resultados obtenidos usando Algoritmos Genéticos (GA) para determinar las  estructuras mas estables de clusters de Si6On (n=1-6). El GA implementa un proceso de optimización global donde la energía de  los clusters es evaluada utilizando el metodo semi-empirico MSINDO. El GA(MSINDO) ha sido  paralelizado eficientemente, permitiendo la reducción del tiempo de cómputo en clusters de computadoras.