Determinación de la estructura de bandas y longitud de enlace en la supercelda de CdZnTe a partir de cálculos de primeros principios

A. M. MARTÍNEZ; M. R. SORIANO; R. FACCIO; A. B. TRIGUBÓ

San Nicolás de los Arroyos - Prov. de Bs. As

Encuentro; 1º Encuentro Programa Materiales - UTN - 1º Taller de Doctorandos en Ingeniería de Materiales - Reunión Matte@r 2010; 2010

Facultad Regional San Nicolás - UTN

Por medio de cálculos de primeros principios, se obtienen propiedades electrónicas y estructurales del los Semiconductores II-VI: CdTe y CdTe aleado con Zn. Los semiconductores de esta familia presentan interés tecnológico por su estabilidad térmica, sus propiedades mecánicas y químicas, y por que presentan numerosas aplicaciones. El CdTe y CdZnTe monocristalinos son utilizados en la fabricación de dispositivos sensibles a la radiación X y Gamma. También se utilizan como sustratos en el crecimiento epitaxial de materiales aptos para la detección de la radiación infrarroja: HgCdTe, HgCdZnTe, etc. Estos últimos materiales siguen siendo los más utilizados para la fabricación de detectores de IR de alto rendimiento por dos propiedades relevantes: gran velocidad de respuesta (nanosegundos) y posibilidad de variar su rango de respuesta espectral con la composición x. Se emplean distintos códigos computacionales, entre ellos: WIEN2k y SIESTA para calcular las propiedades físicas a 0 K, tales como: las estructuras de bandas de energía, la longitud de los enlaces Cd-Te y Zn-Te y el parámetro óptimo de la celda.