ESTUDIO TEORICO DE LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES Y ELECTRONICAS DE LOS SEMICONDUCTORES Cd(1-y)Zn(y)Te (0 ≤ y ≤ 0,1) Y ZnTe

A. M. MARTÍNEZ; RICARDO FACCIO; M. R. SORIANO; A. B. TRIGUBÓ

Córdoba

Congreso; XVII Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2011

Asociación Argentina de Ivestigación Fisicoquímica

Los semiconductores de la familia II-VI presentan interés tecnológico por su estabilidad térmica, sus propiedades mecánicas y químicas. El Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 0,1) (CZT) se utiliza en dispositivos ópticos y electrónicos como conversor fotovoltaico de energía, detector de RX y gamma y celdas solares. Se emplea como sustrato en el crecimiento epitaxial de materiales aptos para la detección de longitudes de onda en el infrarrojo. Las aleaciones de Cd1-xZnxTe con x = 0,04 y 0,10, se prefieren frente al binario CdTe como sustrato debido a su mayor dureza y por su menor densidad de dislocaciones. El ZnTe emite en longitudes de onda de los 540 nm. Así, su uso es promisorio en diodos láseres y emisores de luz de alta intensidad, en ambos casos en el verde. En este trabajo se calculan, utilizando primeros principios, parámetros estructurales y el ancho de bandas de energías prohibidas (band-gap) de los semiconductores: ZnTe, CdTe y CdTe dopado con Zn al 2 % y 5 % atómico.